开关电源的EMI整改方式

  开关电源EMI整改中,关于不同频段干扰原因及抑制办法:

 

      1MHZ以内----以差模干扰为主

 

      1.增大X电容量;

 

      2.添加差模电感;

 

      3.小功率电源可采用PI型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可选用较大些)。

 

      1MHZ---5MHZ---差模共模混合

 

      采用输入端并联一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决,

 

      1.对于差模干扰超标可调整X电容量,添加差模电感器,调差模电感量;

 

      2.对于共模干扰超标可添加共模电感,选用合理的电感量来抑制;

 

      3.也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如FR107一对普通整流二极管1N4007。

 

      5M---以上以共摸干扰为主,采用抑制共摸的方法。

 

      对于外壳接地的,在地线上用一个磁环串绕2-3圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减作用;

 

      可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔, 铜箔闭环。

 

      处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。

 

     对于20--30MHZ

 

     1.对于一类产品可以采用调整对地Y2电容量或改变Y2电容位置;

 

     2.调整一二次侧间的Y1电容位置及参数值;

 

     3.在变压器外面包铜箔;变压器最里层加屏蔽层;调整变压器的各绕组的排布。

 

     4.改变PCB LAYOUT;

 

     5.输出线前面接一个双线并绕的小共模电感;

 

     6.在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数;

 

     7.在变压器与MOSFET之间加BEAD CORE;

 

     8.在变压器的输入电压脚加一个小电容。

 

     9. 可以用增大MOS驱动电阻。

 

     30---50MHZ 普遍是MOS管高速开通关断引起

 

     1.可以用增大MOS驱动电阻;

 

      2.RCD缓冲电路采用1N4007慢管;

 

      3.VCC供电电压用1N4007慢管来解决;

 

      4.或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感;

 

     5.在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路;

 

      6.在变压器与MOSFET之间加BEAD CORE;

 

      7.在变压器的输入电压脚加一个小电容;

 

      8.PCB心LAYOUT时大电解电容,变压器,MOS构成的电路环尽可能的小;

 

      9.变压器,输出二极管,输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。

 

      50---100MHZ 普遍是输出整流管反向恢复电流引起

 

      1.可以在整流管上串磁珠;

 

      2.调整输出整流管的吸收电路参数;

 

      3.可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗,如PIN脚处加BEAD CORE或串接适当的电阻;

 

      4.也可改变MOSFET,输出整流二极管的本体向空间的辐射(如铁夹卡MOSFET; 铁夹卡DIODE,改变散热器的接地点)。

 

      5.增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射。

 

      200MHZ以上开关电源已基本辐射量很小,一般可过EMI标准

 

      于EMI我只知道尽量将有高频电流流过的铜箔做在线路板内侧,将流过直流电的铜箔或是低频电流的铜箔放在外侧,高频大电流铜箔尽量短,自己用EMC的仪器测试都没有什么问题,当然低端的用Pai型滤波就可以,20W以上则要变压器屏敝+共模电感,当有Y电容时,后级纹波的大小对EMI影响较大。另外变压器用铜箔屏敝比绕线效果要好很多。成本也低。反馈电路有谐振时EMI也很难过,特别是从变压器中出来的一串串高频尖峰电压,会使该频段的MEI数值上升10甚至20DB以上,这在恒流开关电源中比较常见。单是怎样把环路面积做到最少,就是很难的问题,共模滤波部分跟初级怎样布局,大电解电容怎样放置,散热器器怎么做,接地应该怎么样接,都需要考虑,X电容与Y电容的排法,都很有讲究。如:共模电感下面不要走初级的任何铜线,但滤波电路可以通过,如果有PFC电感,这个电感离共模电感要远,而且这个电感下面最好不要放置控制IC,特别是CRM模式的PFC.


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